Firmware - Novembre 2012 - N°82 - (Page 39)

A METÀ STRADA TRA DRAM E FLASH + Skills CONTROLLI MOTORE BRUSHLESS CON Z8ENCORE In questo articolo analizzeremo gli Z8 Encore, in particolare come pilotare i motore brushless attraverso questi Microcontrollori LE MEMORIE di MARIANO SEVERI Una panoramica delle soluzioni Fujitsu nel settore TECNICHE DI BRIDGE METERING Come usare i circuiti a ponte per misurare sia resistenze, che svariati i tipi di grandezze fisiche I POTENZIOMETRO DIGITALE A CONTROLLO ANALOGICO Questo articolo propone un circuito in grado di controllare il valore di un potenziometro digitale partendo da una semplice tensione analogica dispositivi Ferroelectric RAM (indicati genericamente come FRAM, FeRAM o F-RAM) sono memorie non-volatile ad accesso casuale a elevato data rate. Rappresentano oggi una delle principali alternative alle memorie EEPROM e FLASH combinando le caratteristiche tipiche di questi dispositivi con le prestazioni elevate (in termini di ridotto tempo di accesso) delle memorie SDRAM volatili. Le memorie FRAM sono caratterizzate da minore consumo di potenza, data retention più elevata e un più elevato numero di cicli di scrittura (fino a oltre 10 16 per i tipici dispositivi con alimentazione a 3.3V); supportano inoltre più agevolmente l’implementazione di soluzioni di protezione da tampering. Gli svantaggi principali sono in- vece legati alla minore capacità di memoria (tipicamente fino a 4 Mbit) e i costi più elevati. Le applicazioni principali si trovano nel settore industriale (spesso in unione alla tecnologia RFID) per sistemi di sicurezza, automazione, metering e data logging, dove la natura non-volatile della memoria non richiede soluzioni di back-up dell’alimentazione mediante batteria tampone. I materiali ferro-elettrici sono inoltre resistenti a campi magnetici e radiazioni e alle alte temperature, consentendo così l’impiego delle memorie FRAM anche in settori come quello medicale o aerospaziale. Il principio di funzionamento è del tutto simile a quello dei dispositivi DRAM tranne che per la cella di memoria (vedi figura 1) che è basata su Figura 1. Nei dispositivi FRAM la cella di memoria si basa su materiale ferroelettrico. La polarizzazione dei dipoli è semi-permanente rendendo la memoria non volatile materiale ferro-elettrico piuttosto che dielettrico. Il materiale (tipicamente PZT ovvero Pb {ZrTi}O3 ) è depositato come film tra due elettrodi. Applicandovi un campo elettrico si determina l’allineamento coerente dei dipoli e la redistribuzione della carica elettronica nella struttura cristallina; tale allineamento è semi-permanente. Ogni cella è quindi in grado di memorizzare in maniera non volatile un bit d’informazione, in funzione della propria polarizzazione. La scrittura avviene semplicemente applicando l’opportuno campo elettrico, per imporre la polarizzazione desiderata in accordo al bit da memorizzare. La lettura, invece, richiede di forzare sulla 14 8 FOCUS ON TIPS’N TRICKS 26 3 SKILLS MARKET NEWS 21 60 INSIDE SPOTLIGHT 46 61 TOOLS EVENTS ZAPPING 56 ANALOG ABBONAMENTO http://www.elettroshop.com/abbonamento-a-firmware-edizione-digitale/

Tabella dei contenuti per la edizione digitale del Firmware - Novembre 2012 - N°82

News
TIPS'n tricks Flexray
FOCUS on Energy Harvesting
INside Kinetis-K
SKILLs
- Controllo motore Brushless con Z8Encore
- Tecniche di bridge metering
- A metà strada tra DRAM e FLASH : le memorie FRAM
- Potenziometro digitale a controllo analogico
TOOLS
- Supporto e training alla progettazione analogica
- USB On-The-Go (OTG)
ANALOG Pilotaggio di stringhe di led
SPOTlight Sviluppare con ARM8
EVENTS zapping
Anteprima FE

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