Firmware - Ottobre 2014 / N°105 - (Page 73)

SPOTLIGHT Figura 5 - Modello di un progetto di tipo 2x100GE con una DDR3 sulla sinistra ed una HMC sulla destra. La riduzione dello spazio su scheda e la semplificazione nell'instradamento dei segnali sono molto interessanti veda la tabella 1, che presenta tre progetti. Ciascuno dei tre (DDR3, DDR4 e HMC) è dimensionato per supportare 60 Gbps. Notate che il numero di pin è ridotto nella soluzione HMC di almeno un fattore otto, diminuendo considerevolmente la complessità della scheda e l'instradamento dei segnali (illustrati in Figura 5). La larghezza di banda elevata della linea serdes consente di alloggiare un numero inferiore di dispositivi; uno, nel caso osservato. Questo dispositivo singolo e un FPGA assicurano una riduzione di spazio di circa un fattore 20. Infine, la soluzione HMC consuma un terzo della potenza richiesta per ciascun bit. Questi sono numeri interessanti che inducono gli osservatori a ipotizzare che le memorie HMC cattureranno una porzione del mercato in precedenza riservato alle DDR4. ALTRE MEMORIE SERIALI Dato che le espressioni "HMC" e "memoria seriale" sono spesso usate scambiandole erroneamente e talvolta persino usate per rappresentare qualsiasi nuovo tipo di memoria a larga banda, è utile esplorare alcune delle altre memorie emergenti che si stanno affacciando sul mercato. I tre principali candidati in questa categoria sono Bandwidth Engi- ne di Mosys, TCAM di Broadcom e HBM promossa da Samsung, SK Hynix e Intel. Bandwidth Engine (BE2) di Mosys è simile ad una SRAM seriale, non ad una DRAM seriale, ed usa dei transceiver per raggiungere 16 Gbps. Tuttavia, BE2 non è un sostituto verosimile per la DDR. Per contro, con il suo accesso a 72 bit e la latenza più ridotta, la tecnologia si candida per la sostituzione delle QDR o delle RLDRAM. L'applicazione sarebbe la memorizzazione delle intestazioni dei pacchetti o la realizzazione di una tabella dati al posto di una memoria temporanea per i pacchetti, come nel caso della DDR. TCAM sta per memoria terziaria indirizzabile per contenuto. Questa memoria speciale ad alta velocità effettua ampie ricerche di corrispondenze di schemi di dati che si trovano in router e in interruttori ad alte prestazioni. Le prestazioni spinte si ottengono al prezzo di costi, consumi e produzione di calore. Oltre ad essere ad alta velocità, la TCAM è parallela per natura - non usa serdes per raggiungere tali velocità. Tuttavia, Broadcom offre versioni seriali di tale memoria. In questo modo i vantaggi che si trovano nelle memorie seriali, caratterizzate da un numero di pin ridotto e da velocità elevate, possono ancora essere associate ad una soluzione TCAM. Il terzo tipo di memoria è la HBM. Non fatevi ingannare dagli occasionali dibattiti fra le tecnologie HMC e HBM. Quello di cui la gente non si accorge è che non potete acquistare un dispositivo HBM. Se volete

Tabella dei contenuti per la edizione digitale del Firmware - Ottobre 2014 / N°105

SOMMARIO
FOCUS on “Infrared Gesture Sensing”
Skills
Leggere le Termocoppie con TI MSP430
Rilevazione del Tocco Senza Interferenze
INside
File System in soluzione embedded: la proposta di Renesas
Analisi e Misura dell’Impedenza del Sangue
ANALOG Un controller per i motori Brushless DC
SPOTlight
PLL a N frazionario con VCO Integrato da oltre 6GHz
Addio DDR, Benvenuta Memoria Seriale!
Tools
MPLAB® Harmony: il framework targato Microchip
LA PIATTAFORMA ZYNQ-7000 AP SoC Intelligent Drives
ALTERA ModelSim
News
EVENTS zapping
Guida

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