Firmware - Giugno 2014 / N°101 - (Page 10)

corrente di circa cento volte superiore che certamente ne segnerà il destino, a meno che in fase di progettazione non sia stata aggiunta una protezione ESD. ESD: COLMARE IL DIVARIO! Da vari anni ormai i requisiti dei test sulle applicazioni sono diventati sempre più severi, così che ora un evento ESD di 8kV è il livello più basso generalmente usato. I livelli dei test tendono a spingersi verso 20kV ed anche 30kV, e questo mentre i fornitori di IC hanno continuato a togliere protezione per occupare l'area di silicio con maggiori funzionalità. La Figura 1 mostra il "divario" tra la resistenza ESD dei chipset e il livello di esposizione a ESD delle applicazioni sul campo, e segnala il bisogno crescente di aumentare la protezione ESD. UN CORRETTO DISPOSITIVO DI PROTEZIONE ESD È VITALE La scelta di un corretto dispositivo di protezione ESD (normalmente indicato come Serie di Diodi TVS) è vitale per assicurare che l'applicazione finale sopravvivrà e continuerà a funzionare come da progetto originale. La resistenza dinamica è un parametro di protezione ESD molto importante, se non il più importante, da considerare quando si sceglie un componente di protezione. Ogni soluzione di protezione ha un valore di resistenza intrinseco legato alla propria caratteristica di bloccaggio. Una soluzione ideale minimizza la resistenza intrinseca così che una soluzione di protezione abbia il percorso a più bassa impedenza verso terra durante un evento di sovratensione. Lo schema rappresentato in Figura 2 Figura 3: Silicio vs. Varistori descrive la situazione. Durante un evento ESD il dispositivo di bloccaggio si accende o passa dal suo stato nominale di alta impedenza ad uno di bassa impedenza. Se la sua resistenza in serie è alta, lungo il componente si sviluppa alta tensione (V = I*R), fornendo così una protezione meno efficace dell'IC. Se questa resistenza in serie è bassa, la tensione sviluppata lungo il componente di protezione si abbassa e il livello di esposizione all'IC si abbassa di conseguenza. L'abbassamento della resi- Tabella 1: Generazione di ESD stenza dinamica (valore di resistenza del componente di protezione in modalità di bloccaggio) consente di deviare più corrente di sovratensione lontano dall'IC e verso terra, come illustrato nello stesso schema. Le Serie di Diodi TVS della Littelfuse sono progettati per ottenere il più basso valore di resistenza dinamica, minimizzando così la complessiva caduta di tensione lungo il componente di protezione e massimizzando la corrente che passa attraverso questo, anziché attraverso l'IC protetto. FOCUS ON SKILLS INSIDE TOOLS ANALOG TIPS'N TRICKS MARKET NEWS SPOTLIGHT EVENTS ZAPPING MEMBERSHIP

Tabella dei contenuti per la edizione digitale del Firmware - Giugno 2014 / N°101

TIPS'n tricks
FOCUS on La Protezione da ESD
SKILLs
Implementazione del Wireless M-Bus
Linee guida per reti 1-Wire a lunga distanza
INside
I Motori Passo-Passo
BLCD, controllo motori con LPC1700
ANALOG I Convertitori “Buck” non Isolati con NCP101x
TOOLS Il Code Configurator di casa Microchip
SPOTlight Convertitore Flyback DC-DC Isolato con LT8302
News
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Guida

Firmware - Giugno 2014 / N°101

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