Firmware - Giugno 2014 / N°101 - (Page 10)
corrente di circa cento volte superiore
che certamente ne segnerà il destino, a
meno che in fase di progettazione non
sia stata aggiunta una protezione ESD.
ESD: COLMARE IL DIVARIO!
Da vari anni ormai i requisiti dei test
sulle applicazioni sono diventati sempre
più severi, così che ora un evento ESD
di 8kV è il livello più basso generalmente usato. I livelli dei test tendono a
spingersi verso 20kV ed anche 30kV, e
questo mentre i fornitori di IC hanno
continuato a togliere protezione per occupare l'area di silicio con maggiori
funzionalità. La Figura 1 mostra il "divario" tra la resistenza ESD dei chipset
e il livello di esposizione a ESD delle applicazioni sul campo, e segnala il bisogno crescente di aumentare la protezione ESD.
UN CORRETTO DISPOSITIVO
DI PROTEZIONE ESD È VITALE
La scelta di un corretto dispositivo di
protezione ESD (normalmente indicato
come Serie di Diodi TVS) è vitale per assicurare che l'applicazione finale sopravvivrà e continuerà a funzionare come da progetto originale. La resistenza
dinamica è un parametro di protezione
ESD molto importante, se non il più importante, da considerare quando si sceglie un componente di protezione. Ogni
soluzione di protezione ha un valore di
resistenza intrinseco legato alla propria caratteristica di bloccaggio. Una
soluzione ideale minimizza la resistenza intrinseca così che una soluzione di
protezione abbia il percorso a più bassa impedenza verso terra durante un
evento di sovratensione.
Lo schema rappresentato in Figura 2
Figura 3: Silicio vs. Varistori
descrive la situazione. Durante un evento ESD il dispositivo di bloccaggio si
accende o passa dal suo stato nominale
di alta impedenza ad uno di bassa impedenza. Se la sua resistenza in serie è
alta, lungo il componente si sviluppa
alta tensione (V = I*R), fornendo così
una protezione meno efficace dell'IC. Se
questa resistenza in serie è bassa, la
tensione sviluppata lungo il componente di protezione si abbassa e il livello
di esposizione all'IC si abbassa di conseguenza. L'abbassamento della resi-
Tabella 1: Generazione di ESD
stenza dinamica (valore di resistenza
del componente di protezione in modalità di bloccaggio) consente di deviare più corrente di sovratensione lontano dall'IC e verso terra, come illustrato
nello stesso schema. Le Serie di Diodi
TVS della Littelfuse sono progettati per
ottenere il più basso valore di resistenza dinamica, minimizzando così la complessiva caduta di tensione lungo il
componente di protezione e massimizzando la corrente che passa attraverso
questo, anziché attraverso l'IC protetto.
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